| 1. Identificação | ||||
| Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) | |||
| Site | mtc-m21d.sid.inpe.br | |||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||
| Identificador | 8JMKD3MGP3W34T/46EMEMS | |||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21d/2022/03.02.14.46 | |||
| Última Atualização | 2022:03.02.14.46.28 (UTC) simone | |||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21d/2022/03.02.14.46.28 | |||
| Última Atualização dos Metadados | 2023:01.03.16.46.01 (UTC) administrator | |||
| DOI | 10.1063/5.0080329 | |||
| ISSN | 0021-8979 | |||
| Chave de Citação | KawataFKHBRORA:2022:PrToCr | |||
| Título | Properties of topological crystalline insulator Pb0.5Sn0.5Te epitaxial films doped with bismuth  | |||
| Ano | 2022 | |||
| Data de Acesso | 13 maio 2024 | |||
| Tipo de Trabalho | journal article | |||
| Tipo Secundário | PRE PI | |||
| Número de Arquivos | 1 | |||
| Tamanho | 3077 KiB | |||
| 2. Contextualização | ||||
| Autor | 1 Kawata, Bianca Akemi 2 Fornari, Celso Israel 3 Kagerer, P. 4 Heßdörfer, J. 5 Bentmann, H. 6 Reinert, F. 7 Okazaki, A. K. 8 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira 9 Abramof, Eduardo | |||
| Identificador de Curriculo | 1 2 3 4 5 6 7 8 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37 9 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH | |||
| ORCID | 1 2 0000-0003-1765-2999 3 0000-0001-9564-8501 4 0000-0002-7381-6049 5 6 7 0000-0003-1935-9841 8 0000-0003-4548-3416 9 0000-0001-7560-7470 | |||
| Grupo | 1 CMS-ETES-DIPGR-INPE-MCTI-GOV-BR 2 3 4 5 6 7 8 COPDT-CGIP-INPE-MCTI-GOV-BR 9 COPDT-CGIP-INPE-MCTI-GOV-BR | |||
| Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 2 Universität Würzburg 3 Universität Würzburg 4 Universität Würzburg 5 Universität Würzburg 6 Universität Würzburg 7 Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais 8 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 9 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) | |||
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 a.kawata@hotmail.com 2 3 4 5 6 7 8 paulo.rappl@gmail.com 9 eduardo.abramof@inpe.br | |||
| Revista | Journal of Applied Physics | |||
| Volume | 131 | |||
| Páginas | e085302 | |||
| Nota Secundária | A1_ENGENHARIAS_III A2_MATERIAIS A2_INTERDISCIPLINAR A2_GEOCIÊNCIAS A2_ENGENHARIAS_I A2_CIÊNCIAS_AGRÁRIAS_I A2_BIODIVERSIDADE A2_ANTROPOLOGIA_/_ARQUEOLOGIA B1_QUÍMICA B1_ODONTOLOGIA B1_MEDICINA_III B1_MEDICINA_II B1_MEDICINA_I B1_MATEMÁTICA_/_PROBABILIDADE_E_ESTATÍSTICA B1_FARMÁCIA B1_ENGENHARIAS_IV B1_ENGENHARIAS_II B1_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_I B1_BIOTECNOLOGIA B1_ASTRONOMIA_/_FÍSICA B2_ENSINO B2_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_III B2_CIÊNCIA_DA_COMPUTAÇÃO | |||
| Histórico (UTC) | 2022-03-02 14:46:28 :: simone -> administrator :: 2022-03-02 14:46:29 :: administrator -> simone :: 2022 2022-03-02 14:47:12 :: simone -> administrator :: 2022 2023-01-03 16:46:01 :: administrator -> simone :: 2022 | |||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||
| Transferível | 1 | |||
| Tipo do Conteúdo | External Contribution | |||
| Tipo de Versão | publisher | |||
| Resumo | We report here on the properties of topological crystalline insulator Pb0.5Sn0.5Te epitaxial films doped with bismuth at levels from 0% (undoped) to 0.15%. The undoped film exhibits a p-type character due to metal vacancies. As the doping level rises, the hole concentration reduces. At a level of 0.06%, the electrical character inverts to n-type and the electron density continues to increase for rising doping level up to 0.15%. This result demonstrates an effective extrinsic n-type doping of Pb0.5Sn0.5Te crystal with bismuth due to substitutional Bi atoms in metal sites. High-resolution x-ray diffraction and reciprocal space mapping show that fully relaxed high-quality films are obtained. A pristine (111) film surface is revealed after removal of the Te cover layer using a method combining Ar+ sputtering and thermal desorption. Angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) data acquired at 30 K near the Γ point of the undoped film surface show a parabolic-like dispersion of the bulk valence band close to the Fermi level. Now, the ARPES data for a sample doped with 0.1% of Bi reveal that the chemical potential is shifted by 40 meV upwards in the direction of the conduction band. The ARPES results also indicate that there might be a discrepancy between surface and bulk chemical potential in the doped sample. This divergence suggests that Te atoms diffuse into the surface during the thermal process to desorb the protective layer, inverting the surface to p-type. | |||
| Área | FISMAT | |||
| Arranjo 1 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção pgr ATUAIS > CMS > Properties of topological... | |||
| Arranjo 2 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção a partir de 2021 > CGCE > Properties of topological... | |||
| Arranjo 3 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção a partir de 2021 > CGIP > Properties of topological... | |||
| Conteúdo da Pasta doc | acessar | |||
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta agreement |
| |||
| 4. Condições de acesso e uso | ||||
| URL dos dados | http://mtc-m21d.sid.inpe.br/ibi/8JMKD3MGP3W34T/46EMEMS | |||
| URL dos dados zipados | http://mtc-m21d.sid.inpe.br/zip/8JMKD3MGP3W34T/46EMEMS | |||
| Idioma | en | |||
| Arquivo Alvo | kawata_properties.pdf | |||
| Grupo de Usuários | simone | |||
| Grupo de Leitores | administrator simone | |||
| Visibilidade | shown | |||
| Política de Arquivamento | allowpublisher allowfinaldraft | |||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||
| 5. Fontes relacionadas | ||||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3F358GL 8JMKD3MGPCW/46KTFK8 8JMKD3MGPCW/46KUES5 | |||
| Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.50 3 sid.inpe.br/bibdigital/2022/04.03.23.11 3 sid.inpe.br/bibdigital/2022/04.03.17.52 1 | |||
| Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX; SCOPUS. | |||
| Acervo Hospedeiro | urlib.net/www/2021/06.04.03.40 | |||
| 6. Notas | ||||
| Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes number parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readpermission rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url | |||
| 7. Controle da descrição | ||||
| e-Mail (login) | simone | |||
| atualizar | ||||